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IPP065N03LGXKSA1

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Numero di parte IPP065N03LGXKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
Scheda dati

IPP065N03LGXKSA1 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP065N03LGXKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-3-1
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IPP065N03LGXKSA1

IPP065N03LGXKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPP065N03LGXKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP065N03LGXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IPP065N03LGXKSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 - Bulk (Alt: IPP065N03LGXKSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-IPP065N03LGXKSA1-IT-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3

16000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

18560
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPP065N03LGXKSA1

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 50A, 30V, 0.0095ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
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