Name: IPL65R1K5C6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL65R1K5C6SATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (146 reviews)

IPL65R1K5C6SATMA1

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Numero di parte	IPL65R1K5C6SATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 8TSON
Scheda dati	IPL65R1K5C6SATMA1 Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	5.520 piece(s)
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Specifiche IPL65R1K5C6SATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	CoolMOS? C6
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	26.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Thin-PAK (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

Scheda tecnica IPL65R1K5C6SATMA1

IPL65R1K5C6SATMA1 Packaging

IPL65R1K5C6SATMA1 FAQ

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3. Are the IPL65R1K5C6SATMA1 price and inventory displayed accurate?

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5. How is the shipping arranged?

Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
6. What is the process for return or replacement of IPL65R1K5C6SATMA1?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPL65R1K5C6SATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPL65R1K5C6SATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPL65R1K5C6SATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPL65R1K5C6SATMA1 pin diagram, IPL65R1K5C6SATMA1 datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPL65R1K5C6SATMA1

D# V72:2272_06384406

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPL65R1K5C6SATMA1

D# IPL65R1K5C6SATMA1

Infineon Technologies AG

MOS Power Transistors HV (>= 200V) - Tape and Reel (Alt: IPL65R1K5C6SATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPL65R1K5C6SATMA1

D# SP001163086

Infineon Technologies AG

MOS Power Transistors HV (>= 200V) (Alt: SP001163086)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPL65R1K5C6SATMA1

D# 2156-IPL65R1K5C6SATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK

50358

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPL65R1K5C6SATMA1

D# 726-IPL65R1K5C6SATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6

RoHS: Compliant

5860

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPL65R1K5C6SATMA1

Infineon Technologies AG

IPL65R1K5 - 650V and 700V CoolMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

50358

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