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IPL60R2K1C6SATMA1

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IPL60R2K1C6SATMA1

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Numero di parte IPL60R2K1C6SATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 8TSON
Scheda dati

IPL60R2K1C6SATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche IPL60R2K1C6SATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieCoolMOS? C6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1 Ohm @ 760mA, 10V
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreThin-PAK (5x6)
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica IPL60R2K1C6SATMA1

IPL60R2K1C6SATMA1 Packaging

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Packing
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IPL60R2K1C6SATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPL60R2K1C6SATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPL60R2K1C6SATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPL60R2K1C6SATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPL60R2K1C6SATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPL60R2K1C6SATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPL60R2K1C6SATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPL60R2K1C6SATMA1?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPL60R2K1C6SATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPL60R2K1C6SATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_06384808

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IPL60R2K1C6SATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 5-Pin TPAK T/R - Bulk (Alt: IPL60R2K1C6SATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-IPL60R2K1C6SATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS

173355
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Rochester Electronics LLC

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 726-IPL60R2K1C6SATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 600V 2.3A ThinPAK 5x6

RoHS: Compliant
2284
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

IPL60R2K1 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
173355
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 26195603

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

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