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IPL60R125C7AUMA1

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Numero di parte IPL60R125C7AUMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Scheda dati

IPL60R125C7AUMA1 Scheda dati

pacchetto 4-PowerTSFN
ECAD
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Specifiche IPL60R125C7AUMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto4-PowerTSFN
ECAD
SerieCoolMOS? C7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 390µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 400V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 7.8A, 10V
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-VSON-4
Pacchetto / caso4-PowerTSFN

Scheda tecnica IPL60R125C7AUMA1

IPL60R125C7AUMA1 Packaging

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Packing
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IPL60R125C7AUMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPL60R125C7AUMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPL60R125C7AUMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPL60R125C7AUMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPL60R125C7AUMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPL60R125C7AUMA1 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPL60R125C7AUMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# E02:0323_09406514

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

MOS Power Transistors HV (>= 200V) - Tape and Reel (Alt: IPL60R125C7AUMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP001385066

Infineon Technologies AG

MOS Power Transistors HV (>= 200V) (Alt: SP001385066)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

80
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON

2890
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D# 2983364

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 17A, 103W, VSON

RoHS: Compliant
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Container: Cut Tape
2840
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Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3480
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Infineon Technologies AG

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MOSFET HIGH POWER_NEW

RoHS: Compliant
6760
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D# 84AC6834

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 17A, 103W, VSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:17A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.108ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2840
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPL60R125C7AUMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2935
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R

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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 17A, 103W, VSON

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