Name: IPI35CN10N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI35CN10N-G
Availability: InStock
Rating: 5 (99 reviews)

IPI35CN10N G

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Numero di parte	IPI35CN10N G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Scheda dati	IPI35CN10N G Scheda dati
pacchetto	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche IPI35CN10N G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 29µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1570pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 27A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO262-3
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica IPI35CN10N G

IPI35CN10N G Packaging

IPI35CN10N G FAQ

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPI35CN10N G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPI35CN10N G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPI35CN10N G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPI35CN10N G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IPI35CN10NG-ND

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