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Numero di parte | IPI086N10N3GXKSA1 |
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Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
Scheda dati | |
pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
ECAD |
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A magazzino | 21.336 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# V36:1790_06383495 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# IPI086N10N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
- Bulk (Alt: IPI086N10N3GXKSA1) |
0 |
IPI086N10N3GXK D# IPI086N10N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IPI086N10N3GXKSA1) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# IPI086N10N3GXKSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
24 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# 2781092 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-262 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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421 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 100 V 8.6 mOhm 42 nC OptiMOS™ Power Mosfet - I2PAK RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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9000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 |
INFINEON TECHNLOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
111 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3 G D# 726-IPI086N10N3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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949 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# XSFP00000130967 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 100 V 8.6 mOhm 42 nC OptiMOS Power Mosfet - I2PAK |
7200 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# 34AC1700 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:80A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0074ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.7V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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421 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# 8922166 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin I2PAK Infineon IPI086N10N3GXKSA1, PK Min Qty: 5
Container: Package
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25 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IPI086N10 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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800 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
112 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# 38482341 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI086N10N3GXKSA1 D# 2781092 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-262 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Each
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471 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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+86-755-83210559 ext. 809
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