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| Numero di parte | IPI032N06N3GAKSA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 120A |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 9.420 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 17 - nov 22 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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TPSB226K016H0600 | AVX Corporation, CAP TANT 22UF 16V 10% 1411, 1411 (3528 Metric), 1210, OptiMOS? | Visualizza |
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1812YA256P80CCRPY2 | Knowles Syfer, CAP CER 1812, -, OptiMOS? | Visualizza |
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C0603C153M8JACAUTO | KEMET, CAP CER 0603 15NF 10V U2J 20%, -, OptiMOS? | Visualizza |
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B43624A5567M000 | EPCOS (TDK), CAP ALUM 570UF 20% 450V SNAP, Radial, Can - Snap-In, OptiMOS? | Visualizza |
 
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AD8674ARZ-REEL7 | Analog Devices Inc., IC OPAMP GP 10MHZ 14SOIC, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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A3P125-2FG144I | Microsemi Corporation, IC FPGA 97 I/O 144FBGA, 144-LBGA, OptiMOS? | Visualizza |
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SSCMRNT015PA2A3 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions, BRD MNT PRESSURE SENSORS, 8-SMD, J-Lead, Side Port, OptiMOS? | Visualizza |
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H826K7BCA | TE Connectivity Passive Product, RES 26.7K OHM 1/4W 0.1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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RER60F4640RCSL | Vishay Dale, RES CHAS MNT 464 OHM 1% 5W, Axial, Box, OptiMOS? | Visualizza |
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PBC10SBBN | Sullins Connector Solutions, CONN HEADER .100 SINGL R/A 10POS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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VE-B10-MU | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 5V 200W, Full Brick, OptiMOS? | Visualizza |
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VI-20D-MX-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W, Full Brick, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3GAKSA1 D# V36:1790_06383201 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3GAKSA1 D# SP000680650 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: SP000680650) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3 G |
Infineon Technologies AG |
N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3GAKSA1 D# 2156-IPI032N06N3GAKSA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
400 |
IPI032N06N3 G D# IPI032N06N3G-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3GAKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 60 V 3.2 mOhm 124 nC OptiMOS™ Power Mosfet - I2PAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3 G D# 726-IPI032N06N3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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603 |
IPI032N06N3GAKSA1 D# 726-IPI032N06N3GAKSA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3 G D# NS-IPI032N06N3 G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
7295 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3GAKSA1 D# 8922090P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin I2PAK Infineon IPI032N06N3GAKSA1, TU Min Qty: 5
Container: Tube
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415 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI032N06N3GAKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IPI032N06 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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400 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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+86-755-83210559 ext. 887
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