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| Numero di parte | IPI029N06NAKSA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 9.876 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 28 - dic 3 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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SIT8208AC-21-28S-38.000000X | SiTime, -20 TO 70C, 3225, 20PPM, 2.8V, 3, -, OptiMOS? | Visualizza |
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F950G337KBAAQ2 | AVX Corporation, CAP TANT 330UF 4V 10% 1411, 1411 (3528 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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200SXG820MEFC30X35 | Rubycon, CAP ALUM 820UF 20% 200V SNAP, Radial, Can - Snap-In, OptiMOS? | Visualizza |
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B41821F8108M000 | EPCOS (TDK), CAP ALUM 1000UF 20% 63V RADIAL, Radial, Can, OptiMOS? | Visualizza |
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KLI-2104-DAA-EB-AA | ON Semiconductor, IMAGE SENSOR CCD LIN RGB 32CDIP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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H4P536KDZA | TE Connectivity Passive Product, RES 536K OHM 1W 0.5% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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ML3240FE-R52 | Ohmite, RES 324 OHM 1/2W 1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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DW-17-11-S-D-665 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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3-88189-0 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN FFC PIN HSG 10POS 2.54MM, -, OptiMOS? | Visualizza |
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AFD50-10-6SN-1A [V0A1] | TE Connectivity Deutsch Connectors, RECP ASSY, -, OptiMOS? | Visualizza |
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ACB105DHFR | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 210POS .050, -, OptiMOS? | Visualizza |
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S34MS04G204TFB013 | Cypress Semiconductor Corp, NAND, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 D# V36:1790_06382952 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 D# IPI029N06NAKSA1 |
Infineon Technologies AG |
MV POWER MOS - Bulk (Alt: IPI029N06NAKSA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 D# SP000962134 |
Infineon Technologies AG |
MV POWER MOS (Alt: SP000962134) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 |
519 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 D# IPI029N06NAKSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3 |
367 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 D# 2781091 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, TO-262 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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280 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
432 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06N D# 726-IPI029N06N |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3 RoHS: Compliant
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410 |
IPI029N06NAKSA1 D# 726-IPI029N06NAKSA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3 RoHS: Compliant
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11 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 D# 34AC1699 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0027ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:2.8V, Threshold Voltage Vgs:10V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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243 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IPI029N06 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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19608 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
379 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI029N06NAKSA1 D# 2781091 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, TO-262 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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264 |
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