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IPG16N10S461ATMA1

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Numero di parte IPG16N10S461ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON
Scheda dati

IPG16N10S461ATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche IPG16N10S461ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 9µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 25V
Potenza - Max29W
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8-4

Scheda tecnica IPG16N10S461ATMA1

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Sealing
Packing
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IPG16N10S461ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPG16N10S461ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPG16N10S461ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPG16N10S461ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPG16N10S461ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPG16N10S461ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# V72:2272_06390876

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON T/R - Bulk (Alt: IPG16N10S461ATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# SP000892972

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP000892972)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# IPG16N10S461ATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

4453
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# 2781090

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TDSON

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2548
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies AG

100V, 16A, 61mOhm, Dual N-Channel, TDSON 8 / SSO8, AEC-Q101

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# 726-IPG16N10S461ATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFET

RoHS: Compliant
7200

IPG16N10S4-61

D# 726-IPG16N10S4-61

Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFET

RoHS: Compliant
2052
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# 34AC1694

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:16A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.053ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.8V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1328
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies AG

IPG16N10 - 75V-100V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant
26250
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5095
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# 31970299

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPG16N10S461ATMA1

D# 2781090

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TDSON

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
1328

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