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| Numero di parte | IPD90R1K2C3BTMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.824 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | feb 10 - feb 15 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 310µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90R1K2C3BTMA1 D# IPD90R1K2C3BTMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90R1K2C3BTMA1 D# 2726059RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90R1K2C3BTMA1 D# 2726059 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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86-755-83210559-827
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