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IPD80R900P7ATMA1

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Numero di parte IPD80R900P7ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
Scheda dati

IPD80R900P7ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD80R900P7ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieCoolMOS? P7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 500V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 2.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD80R900P7ATMA1

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Packing
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IPD80R900P7ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD80R900P7ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD80R900P7ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD80R900P7ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD80R900P7ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD80R900P7ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD80R900P7ATMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

D# V36:1790_18205142

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
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D# 24AC9048

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin TO-252 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 24AC9048)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

D# SP001633484

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001633484)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IPD80R900P7ATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

3146
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

D# 2771326RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 800V, 6A, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 800 V 900 mOhm 15 nC CoolMOS™ Power Mosfet - DPAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3094
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Infineon Technologies AG

MOSFET LOW POWER_NEW

RoHS: Compliant
3946
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IPD80R900P7ATMA1

D# XSKDRABV0053703

Infineon Technologies AG

2500
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

D# 24AC9048

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 800V, 6A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:6A, Drain Source Voltage Vds:800V, On Resistance Rds(on):0.77ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2190
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

7421
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

D# 34870287

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD80R900P7ATMA1

D# 2771326

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 800V, 6A, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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