Name: IPD80P03P4L07ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80P03P4L07ATMA2
Availability: InStock
Rating: 5 (147 reviews)

IPD80P03P4L07ATMA2

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Numero di parte	IPD80P03P4L07ATMA2
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	67.995 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	dic 31 - gen 5 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche IPD80P03P4L07ATMA2

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	OptiMOS®-P2
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 25 V
Vgs (massimo)	+5V, -16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3-11
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

IPD80P03P4L07ATMA2 Packaging

IPD80P03P4L07ATMA2 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD80P03P4L07ATMA2.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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