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IPD60R380E6ATMA2

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Numero di parte IPD60R380E6ATMA2
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Scheda dati

IPD60R380E6ATMA2 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD60R380E6ATMA2

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 3.8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD60R380E6ATMA2

IPD60R380E6ATMA2 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD60R380E6ATMA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD60R380E6ATMA2 price and inventory displayed accurate?
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CoolMOS E6 Power Transistor N-Channel 600V 10.6A 3-Pin TO-252 - Bulk (Alt: IPD60R380E6ATMA2)

0
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D# 2156-IPD60R380E6ATMA2-ND

Rochester Electronics LLC

IPD60R380 - COOLMOS N-CHANNEL

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Rochester Electronics LLC

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