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| Numero di parte | IPD60N10S4L12ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.968 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 23 - nov 28 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 46µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3170pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 60A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-313 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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CDR31BP151BFZRAT | Vishay Vitramon, CAP CER 150PF 100V 1% BP 0805, 0805 (2012 Metric), Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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05086C684MAT2A | AVX Corporation, CAP CER 0.68UF 6.3V X7R 0508, 0508 (1220 Metric), Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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UMK105B7222MV-F | Taiyo Yuden, CAP CER 2200PF 50V X7R 0402, 0402 (1005 Metric), Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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EXB-V4V300JV | Panasonic Electronic Components, RES ARRAY 2 RES 30 OHM 0606, 0606, Concave, Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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9T12062A22R0BBHFT | Yageo, RES SMD 22 OHM 0.1% 1/8W 1206, 1206 (3216 Metric), Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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RT0603BRB0795R3L | Yageo, RES SMD 95.3 OHM 0.1% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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RNCF0805BKC392R | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 392 OHM 0.1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
 
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HCPL-817-060E | Broadcom Limited, OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP, 4-DIP (0.300", 7.62mm), Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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A-TB500-OQ10CH | Assmann WSW Components, TERM BLOCK HDR 10POS 90DEG 5MM, -, Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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DW-09-19-F-S-1213 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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PX0411/06S/5560 | Bulgin, CONN RCPT HSG FMALE 6POS INLINE, -, Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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VE-BN3-EV-S | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 24V 150W, Full Brick, Automotive, AEC-Q101, HEXFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 D# V72:2272_06384117 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 D# IPD60N10S4L12ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD60N10S4L12ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 D# C1S322000468179 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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29 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 D# IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 |
5660 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 D# 2725850RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPD60N10S4L Series 100 V 60 A OptiMOSTM-T2 Power-Transistor - PG-TO-252-3-313 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
43500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 D# 13AC9043 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 60A, 175DEG C, 94W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:60A, On Resistance Rds(on):0.0098ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2516 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 D# 31266549 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60N10S4L12ATMA1 D# 2725850 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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