Name: IPD60N10S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S412ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (126 reviews)

IPD60N10S412ATMA1

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Numero di parte	IPD60N10S412ATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH TO252-3
Scheda dati	IPD60N10S412ATMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino	5.520 piece(s)
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Specifiche IPD60N10S412ATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2470pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.2 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3-313
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1 Packaging

IPD60N10S412ATMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPD60N10S412ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPD60N10S412ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD60N10S412ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPD60N10S412ATMA1 pin diagram, IPD60N10S412ATMA1 datasheet?

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Numero di parte

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IPD60N10S412ATMA1

D# V36:1790_06384150

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Numero di parte

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IPD60N10S412ATMA1

D# IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: IPD60N10S412ATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD60N10S412ATMA1

D# 2156-IPD60N10S412ATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3-313

9795

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD60N10S412ATMA1

D# 726-IPD60N10S412ATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CHANNEL 100+

RoHS: Compliant

541

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD60N10S412ATMA1

Infineon Technologies AG

IPD60N10 - 75V-100V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant

9795

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