Name: IPD35N12S3L24ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N12S3L24ATMA2
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

IPD35N12S3L24ATMA2

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Numero di parte	IPD35N12S3L24ATMA2
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET_(120V 300V)
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	nov 17 - nov 22 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche IPD35N12S3L24ATMA2

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2691 pF @ 25 V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3-11
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

IPD35N12S3L24ATMA2 Packaging

IPD35N12S3L24ATMA2 FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD35N12S3L24ATMA2.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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