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| Numero di parte | IPD35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.664 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | dic 28 - gen 2 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 35A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT1602BI-11-25E-66.000000E | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 2.5V, 6, -, OptiMOS? | Visualizza |
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D120J20C0GF63J5R | Vishay BC Components, CAP CER 12PF 50V C0G/NP0 RADIAL, Radial, Disc, OptiMOS? | Visualizza |
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1210J2K00121JCT | Knowles Syfer, CAP CER 120PF 2KV C0G/NP0 1210, 1210 (3225 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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BSD235C L6327 | Infineon Technologies, MOSFET N/P-CH 20V SOT-363, 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, OptiMOS? | Visualizza |
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LM4040EEM3-2.5/NOPB | Texas Instruments, IC VREF SHUNT 2.5V SOT23-3, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, OptiMOS? | Visualizza |
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8N3DV85KC-0075CDI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC OSC VCXO DUAL FREQ 6-CLCC, 6-CLCC, OptiMOS? | Visualizza |
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SMB10J22AHE3/52 | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB, DO-214AA, SMB, OptiMOS? | Visualizza |
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AT4077H | NKK Switches, CAP TACTILE SQUARE GRAY, -, OptiMOS? | Visualizza |
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0386598013 | Molex, LLC, SR BTS 30A 10 ASY C 65510-C-H-P-, -, OptiMOS? | Visualizza |
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JG0-0024 | Pulse Electronics Network, CONN PULSEJACK 1X2PORT GIGABIT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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MMA25-0441R1 | Vishay Dale, CONN RACK/PANEL 44POS 5A, -, OptiMOS? | Visualizza |
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V150B24H250B3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 24V 250W, 9-DIP Module, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 D# V72:2272_06384825 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26XT D# IPD35N10S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD35N10S3L26ATMA1) |
0 |
IPD35N10S3L-26 D# IPD35N10S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD35N10S3L26ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 D# IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 |
14196 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 D# 2480829 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V,35A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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3 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 100 V 24 mOhm 30 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-252-3-11 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
|
4900 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
116000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 D# 726-IPD35N10S3L26ATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T RoHS: Compliant
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57 |
IPD35N10S3L-26 D# 726-IPD35N10S3L26 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T RoHS: Compliant
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2374 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 D# XSFP00000147614 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 100 V 24 mOhm 30 nC OptiMOS Power Mosfet - TO-252-3-11 |
6296 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 D# 50Y2034 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.7 V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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3 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2516 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 D# 53722570 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD35N10S3L26ATMA1 D# 2480829 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V,35A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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203 |
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+86-755-83210559 ext. 803
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