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IPD30N06S2L23ATMA3

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IPD30N06S2L23ATMA3

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Numero di parte IPD30N06S2L23ATMA3
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Scheda dati

IPD30N06S2L23ATMA3 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD30N06S2L23ATMA3

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1091pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 22A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3-11
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD30N06S2L23ATMA3

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IPD30N06S2L23ATMA3 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPD30N06S2L23ATMA3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD30N06S2L23ATMA3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD30N06S2L23ATMA3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD30N06S2L23ATMA3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD30N06S2L23ATMA3 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPD30N06S2L23ATMA3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD30N06S2L23ATMA3?
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D# V72:2272_06384866

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD30N06S2L23ATMA3)

RoHS: Compliant
0
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D# SP001061286

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001061286)

RoHS: Compliant
0
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D# C1S322000461167

Infineon Technologies AG

MOSFET

Min Qty: 5
Container: Cut Tape
214
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Infineon Technologies AG

N-Channel 55V 30A(Tc) 2V @ 50uA 23mohms @ 22A,10V 100W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

96
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2L23ATMA3

D# IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

764
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IPD30N06S2L23ATMA3

D# 2709861

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2041
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3496
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IPD30N06S2L23ATMA3

D# 726-IPD30N06S2L23AT3

Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

RoHS: Compliant
106
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IPD30N06S2L23ATMA3

D# 12AC9710

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 55V, 30A, 175DEG C, 100W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:55V, Continuous Drain Current Id:30A, On Resistance Rds(on):0.0159ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
266
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Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

377
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