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IPD30N06S2L23ATMA1

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Numero di parte IPD30N06S2L23ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Scheda dati

IPD30N06S2L23ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD30N06S2L23ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1091pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 22A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1 Packaging

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IPD30N06S2L23ATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPD30N06S2L23ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD30N06S2L23ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD30N06S2L23ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD30N06S2L23ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD30N06S2L23ATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPD30N06S2L23ATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD30N06S2L23ATMA1?
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D# IPD30N06S2L23ATMA1

Infineon Technologies AG

OptiMOS Power Transistor N-Channel 55V 30A 3-Pin TO-252 Surface Mount - Bulk (Alt: IPD30N06S2L23ATMA1)

0
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D# 2156-IPD30N06S2L23ATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

793
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2L23ATMA1

D# 2443395

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 55V, 30A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2L23ATMA1

D# 8269115P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD30N06S2L23ATMA1, RL

Min Qty: 25
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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