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IPD30N06S2-15

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IPD30N06S2-15

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Numero di parte IPD30N06S2-15
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Scheda dati

IPD30N06S2-15 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD30N06S2-15

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1485pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.7 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD30N06S2-15

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Packing
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IPD30N06S2-15 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD30N06S2-15 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD30N06S2-15. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD30N06S2-15 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD30N06S2-15 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD30N06S2-15 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD30N06S2-15?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

D# E02:0323_08886719

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2-15

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD30N06S2-15)

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0

IPD30N06S215ATMA2

D# IPD30N06S215ATMA2

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD30N06S215ATMA2)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

D# SP001061724

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001061724)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2-15

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

D# C1S322000305001

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
2340
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

Infineon Technologies AG

N-Channel 55V 30A(Tc) 4V @ 80uA 14.7mohms @ 30A,10V 136W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

47
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

D# IPD30N06S215ATMA2CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

868

IPD30N06S2-15

D# 2156-IPD30N06S2-15-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

100
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2-15

Infineon Technologies AG

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2200
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

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Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252

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0

IPD30N06S215ATMA1

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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 55V, 30A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

Infineon Technologies AG

N-Channel 55 V 14.7 mOhm 110 nC OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11

RoHS: Contact Manufacturer
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0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATM2

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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IPD30N06S215ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2900
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2-15

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

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IPD30N06S215ATMA2

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Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:30A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.0113ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
77
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2-15

D# NS-IPD30N06S2-15

Infineon Technologies AG

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2-15

Infineon Technologies AG

30 A, 55 V, 0.0147 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

1847
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA1

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Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD30N06S215ATMA1, PK

Min Qty: 25
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

Infineon Technologies AG

IPD30N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

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IPD30N06S2-15

Infineon Technologies AG

IPB80N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant
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IPD30N06S215

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OEM/CM ONLY

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

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93
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IPD30N06S215ATMA2

D# 20128351

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S2-15

Infineon Technologies AG

RFQ

10370
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD30N06S215ATMA2

D# 2781082

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252

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