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IPD12CNE8N G

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Numero di parte IPD12CNE8N G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Scheda dati

IPD12CNE8N G Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD12CNE8N G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)85V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C67A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4340pF @ 40V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.4 mOhm @ 67A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD12CNE8N G

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IPD12CNE8N G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD12CNE8N G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD12CNE8N G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD12CNE8N G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD12CNE8N G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD12CNE8N G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD12CNE8N G?
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