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IPD122N10N3GBTMA1

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Numero di parte IPD122N10N3GBTMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Scheda dati

IPD122N10N3GBTMA1 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD122N10N3GBTMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.2 mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1 Packaging

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Packing
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IPD122N10N3GBTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD122N10N3GBTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD122N10N3GBTMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD122N10N3GBTMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD122N10N3GBTMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD122N10N3GBTMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPD122N10N3GBTMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD122N10N3GBTMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# V72:2272_15966271

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GBTMA1

D# IPD122N10N3GBTMA1

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- Bulk (Alt: IPD122N10N3GBTMA1)

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0

IPD122N10N3GATMA1

D# 85X6027

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N 100V 59A 3-Pin TO-252 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 85X6027)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# SP001127828

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N 100V 59A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001127828)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

104
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

17500
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# C1S322000300079

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1358
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# IPD122N10N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

6876

IPD122N10N3GBTMA1

D# 2156-IPD122N10N3GBTMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

100
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3 G

VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

2052

IPD122N10N3G

VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

10378
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# 2443393RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 59A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

69600

IPD122N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

8700

IPD122N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2900
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Infineon Technologies AG

In Stock

104
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IPD122N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

335879

IPD122N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

88720

IPD122N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

9500
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# 726-IPD122N10N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET TRENCH >=100V

RoHS: Compliant
4030
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# 85X6027

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 59A, 175DEG C, 94W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:59A, On Resistance Rds(on):0.0105ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3 G

D# NS-IPD122N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

7576
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GBTMA1

Infineon Technologies AG

OptlMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
100
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

614

IPD122N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

729

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Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2516
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3 G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

335864

IPD122N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

88705

IPD122N10N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

9515
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3G

Zetex / Diodes Inc

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Infineon Technologies AG

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199696
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# 43704312

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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