Name: IPD088N04LGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD088N04LGBTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

IPD088N04LGBTMA1

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Numero di parte	IPD088N04LGBTMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Scheda dati	IPD088N04LGBTMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD088N04LGBTMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 16µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1 Packaging

IPD088N04LGBTMA1 FAQ

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We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD088N04LGBTMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD088N04LGBTMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD088N04LGBTMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPD088N04LGBTMA1 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPD088N04LGBTMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPD088N04LGBTMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPD088N04LGBTMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD088N04LGBTMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD088N04LGBTMA1

D# IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies AG

N-KANAL POWER MOS - Bulk (Alt: IPD088N04LGBTMA1)

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD088N04LGBTMA1

D# 2156-IPD088N04LGBTMA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

26637

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD088N04LGBTMA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

30899

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies AG

OptlMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

26637

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