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IPD048N06L3GBTMA1

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Numero di parte IPD048N06L3GBTMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Scheda dati

IPD048N06L3GBTMA1 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD048N06L3GBTMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 58µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8400pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8 mOhm @ 90A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1 Packaging

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Packing
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IPD048N06L3GBTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD048N06L3GBTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD048N06L3GBTMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD048N06L3GBTMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD048N06L3GBTMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD048N06L3GBTMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD048N06L3GBTMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD048N06L3GBTMA1)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP000453334

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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP000453334)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# C1S322000194380

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
645
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD048N06L3GBTMA1

D# IPD048N06L3GBTMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

356
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IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 4.8 mOhm 37 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
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2900
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96
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IPD048N06L3 G

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MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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1571
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N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD048N06L3GBTMA1, PK

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