Name: IPC302N10N3X1SA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC302N10N3X1SA1
Availability: InStock
Rating: 5 (164 reviews)

IPC302N10N3X1SA1

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Numero di parte	IPC302N10N3X1SA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V BARE DIE
Scheda dati	IPC302N10N3X1SA1 Scheda dati
pacchetto	Die
ECAD
A magazzino	6.560 piece(s)
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Specifiche IPC302N10N3X1SA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	Die
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 302µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Sawn on foil
Pacchetto / caso	Die

Scheda tecnica IPC302N10N3X1SA1

IPC302N10N3X1SA1 Packaging

IPC302N10N3X1SA1 FAQ

1. How to order IPC302N10N3X1SA1 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that IPC302N10N3X1SA1 is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPC302N10N3X1SA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPC302N10N3X1SA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPC302N10N3X1SA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPC302N10N3X1SA1 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPC302N10N3X1SA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPC302N10N3X1SA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPC302N10N3X1SA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPC302N10N3X1SA1

D# V36:1790_06391838

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V Automotive 3-Pin Chip Wafer

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPC302N10N3X1SA1

D# IPC302N10N3X1SA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V DIE - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film (Alt: IPC302N10N3X1SA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPC302N10N3X1SA1

D# SP000476916

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V DIE (Alt: SP000476916)

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IPC302N10N3X1SA1

Infineon Technologies AG

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