| Numero di parte | IPB80N06S3-07 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7768pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 51A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
 
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB80N06S3-07 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB80N06S3-07 D# IPB80N06S3-07-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB80N06S3-07 |
Infineon Technologies AG |
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5060 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB80N06S307 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
6960 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB80N06S3-07 D# NS-IPB80N06S3-07 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
8747 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB80N06S3-07 |
Infineon Technologies AG |
RFQ |
632 |
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