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IPB80N04S403ATMA1

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Numero di parte IPB80N04S403ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Scheda dati

IPB80N04S403ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB80N04S403ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 53µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5260pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1 Packaging

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IPB80N04S403ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB80N04S403ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB80N04S403ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB80N04S403ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB80N04S403ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB80N04S403ATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB80N04S403ATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IPB80N04S403ATMA1?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# V72:2272_06384178

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB80N04S403ATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies AG

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# IPB80N04S403ATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

1916
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# 2710000RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S4-03

D# 726-IPB80N04S4-03

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

RoHS: Compliant
187
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# 12AC9705

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:80A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.0032ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
929
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# 32625503

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S4-03

Infineon Technologies AG

OptiMOS-T2 Power-Transistor

900
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# 2710000

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1440

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