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IPB77N06S3-09

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IPB77N06S3-09

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Numero di parte IPB77N06S3-09
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
Scheda dati

IPB77N06S3-09 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB77N06S3-09

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C77A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 55µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs103nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5335pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8 mOhm @ 39A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB77N06S3-09

IPB77N06S3-09 Packaging

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IPB77N06S3-09 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB77N06S3-09 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB77N06S3-09?
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Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

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