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IPB65R190C6ATMA1

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IPB65R190C6ATMA1

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Numero di parte IPB65R190C6ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
Scheda dati

IPB65R190C6ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB65R190C6ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 730µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1620pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 7.3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB65R190C6ATMA1

IPB65R190C6ATMA1 Packaging

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Packing
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IPB65R190C6ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB65R190C6ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB65R190C6ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB65R190C6ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB65R190C6ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB65R190C6ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IPB65R190C6ATMA1

Infineon Technologies AG

IPB65R190 - 650V COOLMOS N-CHANNEL MOSFET - Bulk (Alt: IPB65R190C6ATMA1)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-IPB65R190C6ATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK

13800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 726-IPB65R190C6

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 700V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

RoHS: Compliant
350
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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IPB65R190 - 650V CoolMOS N-Channel MOSFET

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