Name: IPB60R160P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R160P6ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (69 reviews)

IPB60R160P6ATMA1

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Numero di parte	IPB60R160P6ATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH TO263-3
Scheda dati	IPB60R160P6ATMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB60R160P6ATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	CoolMOS? P6
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 750µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2080pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1 Packaging

IPB60R160P6ATMA1 FAQ

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3. Are the IPB60R160P6ATMA1 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB60R160P6ATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB60R160P6ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB60R160P6ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB60R160P6ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPB60R160P6ATMA1 pin diagram, IPB60R160P6ATMA1 datasheet?

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Numero di parte

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IPB60R160P6ATMA1

D# E02:0323_09105835

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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IPB60R160P6ATMA1

D# IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 23.8A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB60R160P6ATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R160P6ATMA1

D# SP001313876

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 23.8A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001313876)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R160P6ATMA1

D# IPB60R160P6ATMA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1160

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IPB60R160P6ATMA1

D# 726-IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

RoHS: Compliant

1280

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IPB60R160P6ATMA1

D# 1300894P

Infineon Technologies AG

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Min Qty: 2

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IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies AG

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Numero di parte

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Azione

IPB60R160P6ATMA1

D# 53391927

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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