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IPB60R099C7ATMA1

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IPB60R099C7ATMA1

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Numero di parte IPB60R099C7ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V TO263-3
Scheda dati

IPB60R099C7ATMA1 Scheda dati
pacchetto TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
ECAD
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Specifiche IPB60R099C7ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
ECAD
SerieCoolMOS? C7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 490µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1819pF @ 400V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 9.7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3
Pacchetto / casoTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Scheda tecnica IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1 Packaging

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Packing
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IPB60R099C7ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB60R099C7ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB60R099C7ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB60R099C7ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB60R099C7ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB60R099C7ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB60R099C7ATMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# E02:0323_09406546

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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MOSFET HIGH POWER_NEW - Bulk (Alt: IPB60R099C7ATMA1)

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MOSFET HIGH POWER_NEW (Alt: SP001297998)

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 0
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MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

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MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 110W

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 830
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 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 1160
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MOSFET HIGH POWER_NEW

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D# 39AH8899

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 110W ROHS COMPLIANT: YES

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 780
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R099C7ATMA1

 Infineon Technologies AG

IPB60R099 - 22A, 600V, N-Channel Power MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
 60
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 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 948
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D# 24260181

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 110W

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