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IPB60R060C7ATMA1

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IPB60R060C7ATMA1

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Numero di parte IPB60R060C7ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V TO263-3
Scheda dati

IPB60R060C7ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
ECAD
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Specifiche IPB60R060C7ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
ECAD
SerieCoolMOS? C7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2850pF @ 400V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 15.9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3
Pacchetto / casoTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Scheda tecnica IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1 Packaging

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Packing
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IPB60R060C7ATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPB60R060C7ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB60R060C7ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB60R060C7ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB60R060C7ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB60R060C7ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IPB60R060C7ATMA1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB60R060C7ATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

D# IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB60R060C7ATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

D# SP001385008

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001385008)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

D# IPB60R060C7ATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

540
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

D# 2986356

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 35A, 162W, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
29
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2198
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

D# 726-IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_NEW

RoHS: Compliant
63
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

D# 93AC7104

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 35A, 162W, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.052ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
29
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

350
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R060C7ATMA1

D# 2986356

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 35A, 162W, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
29

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