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| Numero di parte | IPB35N12S3L26ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| Scheda dati | |
| pacchetto | - |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.880 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 29 - dic 4 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | - |
| ECAD |
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| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
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1210Y0100273JCT | Knowles Syfer, CAP CER 0.027UF 10V C0G/NP0 1210, 1210 (3225 Metric), * | Visualizza |
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1808J2K50122MXR | Knowles Syfer, CAP CER 1200PF 2.5KV X7R 1808, 1808 (4520 Metric), * | Visualizza |
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CL03C030CB3GNNC | Samsung, CAP CER 3PF 50V C0G/NP0 0201, 0201 (0603 Metric), * | Visualizza |
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S27KL0641DABHV023 | Cypress Semiconductor Corp, IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA, 24-VBGA, * | Visualizza |
 
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TS12A4517DR | Texas Instruments, IC SWITCH SPST 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), * | Visualizza |
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RNC55H5560BSBSL | Vishay Dale, RES 556 OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, * | Visualizza |
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9T08052A3740BAHFT | Yageo, RES SMD 374 OHM 0.1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), * | Visualizza |
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CA3108E24-28SYF80A176 | ITT Cannon, LLC, CONN PLUG 24POS INLINE SKT RA, -, * | Visualizza |
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D38999/26ZJ4HA | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG MALE 56POS GOLD CRIMP, -, * | Visualizza |
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ACT90MC98AB [V002] | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSG MALE 10POS PNL MNT, -, * | Visualizza |
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10-40450-36S | Amphenol Industrial Operations, 36 GASKET FRTMT ALU SHIELDING, -, * | Visualizza |
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MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F | Micron Technology Inc., IC FLASH SLC 4G 256MX16 FBGA, 63-VFBGA, * | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N12S3L26ATMA1 D# IPB35N12S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET_(120V,300V) - Bulk (Alt: IPB35N12S3L26ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N12S3L26ATMA1 D# 2156-IPB35N12S3L26ATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 120V 35A TO263-3-2 |
23000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N12S3L26ATMA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
26680 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N12S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPB35N12 - 120V-300V N-Channel Automotive MOSFET RoHS: Compliant
|
23000 |
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+86-755-83210559 ext. 887
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