Name: IPB200N25N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB200N25N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

IPB200N25N3 G

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Numero di parte	IPB200N25N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Scheda dati	IPB200N25N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
A magazzino	120.000 piece(s)
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Specifiche IPB200N25N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	64A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7100pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 64A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB200N25N3 G

IPB200N25N3 G Packaging

IPB200N25N3 G FAQ

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Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
2. How does Heisener guarantee that IPB200N25N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB200N25N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB200N25N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB200N25N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB200N25N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB200N25N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.

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6. What is the process for return or replacement of IPB200N25N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB200N25N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB200N25N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB200N25N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# V72:2272_06377749

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# IPB200N25N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB200N25N3GATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# SP000677896

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000677896)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 250V, 64A, TO-263-3

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# C1S322000194201

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

746

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3G

Infineon Technologies AG

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3 G

Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2017

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# IPB200N25N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK

198

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

15392

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# 2432726

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 250V, 64A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

4737

Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
IPB200N25N3GATMA1MULT1	SIEM	OEM/CM QUOTES ONLY \| NO BROKERS	872
IPB200N25N3GXT	Infineon Technologies AG	OEM/CM QUOTES ONLY \| NO BROKERS	258
IPB200N25N3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	OEM/CM QUOTES ONLY \| NO BROKERS	5800
IPB200N25N3G	Infineon Technologies AG	OEM/CM QUOTES ONLY \| NO BROKERS	5800

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

15132

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# 79X1433

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 250V, 64A, TO-263- 3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:250V, Continuous Drain Current Id:64A, On Resistance Rds(on):0.0175ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

1038

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3 G

D# NS-IPB200N25N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

3078

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3G

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 64A I(D), 250V, 0.02OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

831

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# 8986870

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB200N25N3GATMA1, PK

Min Qty: 2

Container: Package

250

Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
IPB200N25N3G	Infineon Technologies AG	OEM/CM ONLY	5016
IPB200N25N3GATMA1MULT1	Siemens	OEM/CM ONLY	768
IPB200N25N3GATMA1	Infineon Technologies AG	OEM/CM ONLY	7136

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

15147

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3 G

Infineon Technologies AG

shipping today

IPB200N25N3G

Infineon Technologies AG

shipping today

909

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# 43712006

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB200N25N3G

D# 36535180

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOSTM3 Power-Transistor

1783

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB200N25N3GATMA1

D# 2432726

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 250V, 64A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

2041

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IPB200N25N3 G

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