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IPB180N10S402ATMA1

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IPB180N10S402ATMA1

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Numero di parte IPB180N10S402ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH TO263-7
Scheda dati

IPB180N10S402ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
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Specifiche IPB180N10S402ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14600pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-7-3
Pacchetto / casoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Scheda tecnica IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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IPB180N10S402ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB180N10S402ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB180N10S402ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB180N10S402ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB180N10S402ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB180N10S402ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# E02:0323_06941009

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB180N10S402ATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# SP001057184

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001057184)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET - Tape and Reel

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# C1S322000468151

Infineon Technologies AG

MOSFET

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
990
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# IPB180N10S402ATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

1062
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# 2725842RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET_(75V 120V(

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5744
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S4-02

D# 726-IPB180N10S4-02

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

RoHS: Compliant
1554

IPB180N10S402ATMA1

D# 726-IPB180N10S402ATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

RoHS: Compliant
997
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# XSFP00000208902

Infineon Technologies AG

4000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# 13AC9029

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0029ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.7V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
4055
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# 1702286

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 7 + Tab-Pin D2PAK Infineon IPB180N10S402ATMA1, RL

Min Qty: 1000
Container: Reel
3995
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies AG

IPB180N10 - OptlMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
589
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S4-02

D# TMOSP10958

Infineon Technologies AG

N-CH 100V 2.5mOhm AECQ TO263-7

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# 53358728

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB180N10S402ATMA1

D# 2725842

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
4055

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