Name: IPB107N20N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB107N20N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (154 reviews)

IPB107N20N3 G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	IPB107N20N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Scheda dati	IPB107N20N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
A magazzino	390.000 piece(s)
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Specifiche IPB107N20N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	88A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7100pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.7 mOhm @ 88A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB107N20N3 G

IPB107N20N3 G Packaging

IPB107N20N3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB107N20N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPB107N20N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB107N20N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB107N20N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB107N20N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB107N20N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB107N20N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# V72:2272_06377982

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 79X1432

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79X1432)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# SP000676406

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263 (Alt: SP000676406)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3

858

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# C1S322000438141

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

1790

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

N-Channel 200V 88A(Tc) 4V @ 270uA 10.7mohms @ 88A,10V 300W(Tc) TO-263-3 MOSFET RoHS

1978

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2019

685

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# IPB107N20N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK

2981

Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
IPB107N20N3G	Infineon Technologies AG	In stock shipping within 2days	8260
IPB107N20N3 G	Infineon Technologies AG	In stock shipping within 2days	5260
IPB107N20N3GATMA1	Infineon Technologies AG	In stock shipping within 2days	220

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 2432725RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

63800

IPB107N20N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

69600

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

D# C444895

Infineon Technologies AG

1973

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

8000

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

100000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 726-IPB107N20N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

1636

IPB107N20N3 G

D# 726-IPB107N20N3GXT

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

2177

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 79X1432

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 200V, 88A, TO-263- 3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:88A, On Resistance Rds(on):0.0096ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

121

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3 G

D# NS-IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

4049

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 88A I(D), 200V, 0.0107OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

548

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 7545434

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB107N20N3GATMA1, EA

Min Qty: 1

Container: Bulk

137

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3 G

D# TMOSP10062

Infineon Technologies AG

MOSFET 200V 11mOhm 88A TO263

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

166

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

53346

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

8015

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

99985

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

shipping today

8990

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

shipping today

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 53521580

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB107N20N3G

D# 36532005

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

16002

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 2432725RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

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IPB107N20N3 G

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