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| Numero di parte | IPB100N04S4H2ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.168 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7180pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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1808J6300120JCR | Knowles Syfer, CAP CER 12PF 630V C0G/NP0 1808, 1808 (4520 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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C326C682J2G5TA7301 | KEMET, CAP CER 6800PF 200V C0G RADIAL, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
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EKMM451VSN271MQ60S | United Chemi-Con, CAP ALUM 270UF 20% 450V SNAP, Radial, Can - Snap-In, OptiMOS? | Visualizza |
 
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UAA2016DG | ON Semiconductor, IC PWR CTLR ZERO VOLT SW 8-SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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1.5SMC11A-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC SMCJ, DO-214AB, SMC, OptiMOS? | Visualizza |
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MP3V5010GP | NXP, IC PRESSURE SENSOR 8-SOP, 8-SMD, Gull Wing, Side Port, OptiMOS? | Visualizza |
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RN55C6040BB14 | Vishay Dale, RES 604 OHM 1/8W 0.1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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CMF601K5400FKR670 | Vishay Dale, RES 1.54K OHM 1W 1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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MHQ0402PSA0N8CT000 | TDK Corporation, FIXED IND 0.8NH 600MA 150 MOHM, 01005 (0402 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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8P1P010200VRB01 | NorComp Inc., CONN RCPT FMALE 10POS GOLD SOLDR, -, OptiMOS? | Visualizza |
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C48-06R14-7S7-406 | Cinch Connectivity Solutions, CONN PLUG HSNG FMALE 7POS INLINE, -, OptiMOS? | Visualizza |
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RYM24DRSD | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 48POS 0.156, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 D# V36:1790_06383762 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 D# IPB100N04S4H2ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB100N04S4H2ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 D# IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
405 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 D# 2709986 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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660 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3435 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4-H2 D# 726-IPB100N04S4-H2 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 RoHS: Compliant
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115 |
IPB100N04S4H2ATMA1 D# 726-IPB100N04S4H2ATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 RoHS: Compliant
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1504 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 D# 12AC9701 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.0024ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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445 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPB100N04 - OptlMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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1618 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5973 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB100N04S4H2ATMA1 D# 2709986 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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445 |
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