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IPB090N06N3 G

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IPB090N06N3 G

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Numero di parte IPB090N06N3 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Scheda dati

IPB090N06N3 G Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB090N06N3 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 34µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB090N06N3 G

IPB090N06N3 G Packaging

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Packing
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IPB090N06N3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB090N06N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB090N06N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB090N06N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB090N06N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB090N06N3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB090N06N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB090N06N3 G?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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IPB090N06N3GATMA1

D# V72:2272_06384657

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3 G

D# IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB090N06N3G)

0

IPB090N06N3GXT

D# IPB090N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB090N06N3GATMA1)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# SP000398042

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000398042)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# C1S322000088405

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
47
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3G

VBsemi Electronics Co Ltd

TO263 MOSFET RoHS

86
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# IPB090N06N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3 G

VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

1030

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VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

1003
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# 1775550

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

40345

IPB090N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1053
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3G

D# C725060

VBsemi Electronics Co Ltd

86
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

4000

IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

85
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# 60R2671

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:50A, On Resistance Rds(on):0.007ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3 G

D# NS-IPB090N06N3 G

Infineon Technologies AG

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3689
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3GATMA1

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Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB090N06N3GATMA1, RL

Min Qty: 25
Container: Reel
0
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IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

IPB090N06 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
5
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

802

IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

1516
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IPB090N06N3 G

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4015

IPB090N06N3G

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IN stock Immediate delivery

80
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3989

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Infineon Technologies AG

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45635
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# 27089772

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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