Name: IPB083N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB083N10N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (89 reviews)

IPB083N10N3 G

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Numero di parte	IPB083N10N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Scheda dati	IPB083N10N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB083N10N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3980pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 73A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB083N10N3 G

IPB083N10N3 G Packaging

IPB083N10N3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB083N10N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB083N10N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB083N10N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB083N10N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB083N10N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB083N10N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB083N10N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB083N10N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB083N10N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB083N10N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3GATMA1

D# V72:2272_06383633

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3GXT

D# IPB083N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB083N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant

IPB083N10N3GATMA1

D# 47Y8048

Infineon Technologies AG

- Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 47Y8048)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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IPB083N10N3G

D# SP000458812

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000458812)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

3000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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IPB083N10N3GATMA1

D# IPB083N10N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Numero di parte

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IPB083N10N3G

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27209

IPB083N10N3 G

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In stock shipping within 2days

2500

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3GATMA1

D# 2443432RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

Numero di parte

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Azione

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

NEW AND ORGINAL. ISRAEL W.HOUSE

Numero di parte

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IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

40345

IPB083N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1160

Numero di parte

Produttore

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Azione

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

551

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

26684

Numero di parte

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Descrizione

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IPB083N10N3GATMA1

D# 47Y8048

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:80A, On Resistance Rds(on):0.0072ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3 G

D# NS-IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

6265

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 80A I(D), 100V, 0.0083OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3GATMA1

D# 8977361P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB083N10N3GATMA1, RL

Min Qty: 8

Container: Reel

752

Numero di parte

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IPB083N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

7016

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

1228

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IPB083N10N3G

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26669

IPB083N10N3 G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

546

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IPB083N10N3 G

TRENDCHIP

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IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

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231

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IPB083N10N3GATMA1

D# 35173155

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3G

mfr

RFQ

3425

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

46684

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB083N10N3GATMA1

D# 2443432

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

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