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IPB072N15N3 G

hot IPB072N15N3 G

IPB072N15N3 G

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Numero di parte IPB072N15N3 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Scheda dati

IPB072N15N3 G Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB072N15N3 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5470pF @ 75V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB072N15N3 G

IPB072N15N3 G Packaging

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IPB072N15N3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB072N15N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB072N15N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB072N15N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB072N15N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB072N15N3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB072N15N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB072N15N3 G?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as IPB072N15N3 G pin diagram, IPB072N15N3 G datasheet?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# V36:1790_06376974

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# 60R2666

Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: 60R2666)

RoHS: Compliant
0

IPB072N15N3GXT

D# IPB072N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB072N15N3GATMA1)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# C1S322000438132

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1675
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# IPB072N15N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

17602
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# 1775544

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100A, 150V, PG-TO263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
7677
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 150 V 7.2 mOhm 70 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

19720
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3 G

D# 726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
1989

IPB072N15N3GATMA1

D# 726-IPB072N15N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
1028
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# XSKDRABV0053428

Infineon Technologies AG

33012
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# 60R2666

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 150V, 100A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:150V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0058ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
1440
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

160
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# 7528340P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 100 A, 150 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB072N15N3GATMA1, RL

Min Qty: 1
Container: Reel
3754
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IPB072N15 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
129
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

530
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# 52751257

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB072N15N3GATMA1

D# 1775544

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100A, 150V, PG-TO263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
7708

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