Name: IPB065N03L G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB065N03L-G
Availability: InStock
Rating: 5 (125 reviews)

IPB065N03L G

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Numero di parte	IPB065N03L G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
Scheda dati	IPB065N03L G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB065N03L G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB065N03L G

IPB065N03L G Packaging

IPB065N03L G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB065N03L G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB065N03L G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB065N03L G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB065N03L G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB065N03L G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB065N03L G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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6. What is the process for return or replacement of IPB065N03L G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB065N03L G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB065N03L G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

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IPB065N03LGATMA1

D# IPB065N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB065N03LGATMA1)

Numero di parte

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IPB065N03LGATMA1

D# 2156-IPB065N03LGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

332

Numero di parte

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IPB065N03LGATMA1

D# 2212897

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 50A, TO-263-3

RoHS: Compliant

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IPB065N03LGATMA1

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IPB065N03L G

D# 726-IPB065N03LG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

1810

IPB065N03LGATMA1

D# 726-IPB065N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

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Descrizione

Azione

IPB065N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

IPB065N03 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

332

Numero di parte

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Azione

IPB065N03LGATMA1

D# 2212897

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 50A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

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