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| Numero di parte | IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.944 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB042N10N3GE8187ATMA1 D# V36:1790_06378068 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB042N10N3GE8187ATMA1 D# IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB042N10N3GE8187ATMA1) RoHS: Compliant
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB042N10N3GE8187ATMA1 D# IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
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86-755-83210559-827
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