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IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G

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Numero di parte IPB042N10N3 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Scheda dati

IPB042N10N3 G Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB042N10N3 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8410pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G Packaging

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Packing
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IPB042N10N3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB042N10N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB042N10N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB042N10N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB042N10N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB042N10N3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB042N10N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB042N10N3 G?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB042N10N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB042N10N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB042N10N3 G.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as IPB042N10N3 G pin diagram, IPB042N10N3 G datasheet?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# V72:2272_06378065

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# V36:1790_06378068

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 47Y8047

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 47Y8047)

RoHS: Compliant
 0

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# IPB042N10N3GE8187ATMA1

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB042N10N3GE8187ATMA1)

RoHS: Compliant
 0

IPB042N10N3GXT

D# IPB042N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB042N10N3GATMA1)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# SP000446880

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000446880)

RoHS: Compliant
 0

IPB042N10N3 G

D# SP000446880

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000446880)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G E8187

 Infineon Technologies AG

N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

 0

IPB042N10N3GE818XT

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

 0

IPB042N10N3 G

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

 2000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

N-Channel 100V 137A 3.5V @ 150uA 4.2mohms @ 100A,10V 214W TO-263-2 MOSFET RoHS

 1464

IPB042N10N3 G

 Infineon Technologies AG

PG-TO-263-3 MOSFET RoHS

 4391
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

 Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2020

 1000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# IPB042N10N3GATMA1TR-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

 0

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

 150

IPB042N10N3 G

 Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

 5060

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

 48525
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 2443431

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 289
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

 TO263-3

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 29464

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 92800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

D# C153801

 Infineon Technologies AG

4391
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

 88720

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

 100000

IPB042N10N3 G

 Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

 100000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# XSKDRABV0055491

 Infineon Technologies AG

4000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 47Y8047

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0036ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 2
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

D# NS-IPB042N10N3 G

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 4763

IPB042N10N3 G E8187

D# NS-IPB042N10N3 G E8187

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 1412
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 100A I(D), 100V, 0.0042OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

 807
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 8275237P

 Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB042N10N3GATMA1, RL

Min Qty: 10
Container: Reel
 320
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

D# TMOSP9680

 Infineon Technologies AG

N-CH 100V 100A 4mOhm TO263-3

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 9016

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 17825
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

 88705

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

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 99985

IPB042N10N3 G

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IN stock Immediate delivery

 99985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

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 54
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

D# 39812048

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

RFQ

 7348
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

 Infineon Technologies AG

OptiMOS?3 Power-Transistor

 12547
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 2443431

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0

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