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IPB039N10N3GE8187ATMA1

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Numero di parte IPB039N10N3GE8187ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Scheda dati

IPB039N10N3GE8187ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
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Specifiche IPB039N10N3GE8187ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C160A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8410pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-7
Pacchetto / casoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Scheda tecnica IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1 Packaging

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IPB039N10N3GE8187ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB039N10N3GE8187ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB039N10N3GE8187ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB039N10N3GE8187ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB039N10N3GE8187ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB039N10N3GE8187ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB039N10N3GE8187ATMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V36:1790_06377394

Infineon Technologies AG

MV Power MOSFET

0
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D# IPB039N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB039N10N3GE8187ATMA1)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

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