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IPB031NE7N3GATMA1

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IPB031NE7N3GATMA1

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Numero di parte IPB031NE7N3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Scheda dati

IPB031NE7N3GATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB031NE7N3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 155µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8130pF @ 37.5V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1 Packaging

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Packing
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IPB031NE7N3GATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPB031NE7N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB031NE7N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB031NE7N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB031NE7N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB031NE7N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB031NE7N3GATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB031NE7N3GATMA1?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_06378783

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Bulk (Alt: IPB031NE7N3GATMA1)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP000641730

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 (Alt: SP000641730)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-IPB031NE7N3GATMA1-ND

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3741
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1160
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IPB031NE7N3 G

D# 726-IPB031NE7N3GXT

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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D# 726-IPB031NE7N3GATMA

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MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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IPB031NE7 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

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