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IPB031N08N5ATMA1

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IPB031N08N5ATMA1

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Numero di parte IPB031N08N5ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 80V TO263-3
Scheda dati

IPB031N08N5ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB031N08N5ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6240pF @ 40V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPB031N08N5ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB031N08N5ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB031N08N5ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB031N08N5ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB031N08N5ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB031N08N5ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# V72:2272_06383299

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB031N08N5ATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# SP001227048

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001227048)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# C1S322000456855

Infineon Technologies AG

MOSFET

Min Qty: 1
Container: Cut Tape
78
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# IPB031N08N5ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# 2725838

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
3399
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

4688
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5

D# 726-IPB031N08N5

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

RoHS: Compliant
614

IPB031N08N5ATMA1

D# 726-IPB031N08N5ATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

RoHS: Compliant
619
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# 13AC9025

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:80V, On Resistance Rds(on):0.0027ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
314
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# 53352349

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB031N08N5ATMA1

D# 2725838

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263

RoHS: Compliant
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