* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | IPB031N08N5ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| A magazzino | 22.152 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | ott 1 - ott 6 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6240pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|
C333C333GAG5TA7301 | KEMET, CAP CER 0.033UF 250V C0G RADIAL, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
 
|
RT8012AGQW | Richtek USA Inc., IC REG BCK ADJ 1A/1.5A DL 16WQFN, 16-WQFN Exposed Pad, OptiMOS? | Visualizza |
|
25LC1024T-I/SM | Microchip Technology, IC EEPROM 1MBIT 20MHZ 8SOIJ, 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
|
TS87C58X2-LCE | Microchip Technology, IC MCU 8BIT 32KB OTP 44VQFP, 44-QFP, OptiMOS? | Visualizza |
|
LTL912TGKS | Lite-On Inc., LED GREEN CLEAR 4DIP THRU HOLE, 4-DIP (0.200", 5.08mm), OptiMOS? | Visualizza |
|
RG3216V-1820-C-T5 | Susumu, RES SMD 182 OHM 0.25% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
|
Y116937K5000A0R | Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group), RES SMD 37.5K OHM 0.4W 3017, 3017 J-Lead, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
RNCF2010DTE1M07 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 1.07M OHM 0.5% 1/4W 2010, 2010 (5025 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
|
CRCW1206130RFKTA | Vishay Dale, RES SMD 130 OHM 1% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
|
36880 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN SPADE TERM 14-16AWG #8, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
1218124-3 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine, CONN D-SUB PLUG 25POS VERT SLDR, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
XC6501C201MR-G | Torex Semiconductor Ltd, CL CAPLESS 200MA HIGH SPEED LDO, -, OptiMOS? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# V72:2272_06383299 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# IPB031N08N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB031N08N5ATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# SP001227048 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001227048) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# C1S322000456855 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
78 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# IPB031N08N5ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# 2725838 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
3399 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
4688 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5 D# 726-IPB031N08N5 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 RoHS: Compliant
|
614 |
IPB031N08N5ATMA1 D# 726-IPB031N08N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 RoHS: Compliant
|
619 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# 13AC9025 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:80V, On Resistance Rds(on):0.0027ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
314 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# 53352349 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB031N08N5ATMA1 D# 2725838 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
314 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa IPB031N08N5ATMA1?
86-755-83210559 x831
Scansiona per visualizzare questa pagina
