Name: IPB025N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N10N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (87 reviews)

IPB025N10N3 G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	IPB025N10N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Scheda dati	IPB025N10N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
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Specifiche IPB025N10N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14800pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7
Pacchetto / caso	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Scheda tecnica IPB025N10N3 G

IPB025N10N3 G Packaging

IPB025N10N3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB025N10N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB025N10N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB025N10N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB025N10N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB025N10N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB025N10N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB025N10N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB025N10N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB025N10N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IPB025N10N3 G garanzie

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# V72:2272_06378745

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# IPB025N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

MV POWER MOS - Tape and Reel (Alt: IPB025N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# SP000469888

Infineon Technologies AG

MV POWER MOS (Alt: SP000469888)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO263-7

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# C1S322000186664

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

218

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3 G

Infineon Technologies AG

PG-TO263-7 MOSFET RoHS

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# IPB025N10N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

IPB025N10N3GE8187ATMA1

D# IPB025N10N3GE8187ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3 G

In stock shipping within 2days

120

IPB025N10N3G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

5060

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# 2212822

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO263-7

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

10882

Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
IPB025N10N3GA	Infineon Technologies AG	OEM/CM QUOTES ONLY \| NO BROKERS	93
IPB025N10N3G	Infineon Technologies AG	OEM/CM QUOTES ONLY \| NO BROKERS	40345
IPB025N10N3GATMA1	Infineon Technologies AG	OEM/CM QUOTES ONLY \| NO BROKERS	29000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3 G

D# C536489

Infineon Technologies AG

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

220

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# 726-IPB025N10N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

1330

IPB025N10N3 G

D# 726-IPB025N10N3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# 47W3462

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 100V, 180A, TO263-7, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:180A, On Resistance Rds(on):0.002ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Bulk

10872

IPB025N10N3GATMA1.

D# 26AC0487

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:180A, On Resistance Rds(on):0.002ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.7V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1000

Container: TAPE & REEL - FULL

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3 G

D# NS-IPB025N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

3036

IPB025N10N3GXT

D# NS-IPB025N10N3GXT

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2119

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# 7545421

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 7-Pin D2PAK Infineon IPB025N10N3GATMA1, EA

Min Qty: 1

Container: Bulk

Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
IPB025N10N3GA	Infineon Technologies AG	OEM/CM ONLY	96
IPB025N10N3GATMA1	Infineon Technologies AG	OEM/CM ONLY	9389
IPB025N10N3G	Infineon Technologies AG	OEM/CM ONLY	3283

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

215

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3G

Toshiba America Electronic Components

shipping today

1590

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# 43703873

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3 G

Infineon Technologies AG

RFQ

13078

IPB025N10N3G

mfr

RFQ

2798

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOS?3 Power-Transistor

300

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB025N10N3GATMA1

D# 2212822

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO263-7

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

12984

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IPB025N10N3 G

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