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IPB021N06N3GATMA1

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Numero di parte IPB021N06N3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Scheda dati

IPB021N06N3GATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB021N06N3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 196µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs275nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds23000pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1 Packaging

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Packing
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IPB021N06N3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB021N06N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB021N06N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB021N06N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB021N06N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB021N06N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB021N06N3GATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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