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| Numero di parte | IPB017N08N5ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 12.534 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | dic 25 - dic 30 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SIT1602BC-23-28S-26.000000E | SiTime, -20 TO 70C, 3225, 50PPM, 2.8V, 2, -, OptiMOS? | Visualizza |
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MB90020PMT-GS-181-BND | Cypress Semiconductor Corp, IC MCU 16B FFMC-16F-0.35 120LQFP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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A22L-TA-T2-10A | Omron Automation and Safety, SWITCH PUSH SPST-NO 10A 110V, -, OptiMOS? | Visualizza |
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XKB2-AT-WWG | Digi International, KIT ARDUINO CODING PLATFORM, -, OptiMOS? | Visualizza |
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RNC50J2613FSRE6 | Vishay Dale, RES 261K OHM 1/10W 1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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PTKM100-894H | API Delevan Inc., FIXED IND 100UH 8A 23 MOHM TH, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
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GL2L5MS210D-C | Susumu, IND DELAY LINE 2.1NS 1 OHM SMD, 16-SOIC (0.220", 5.59mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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241A18580X | Conec, CONN DSUB PLUG 9POS STR SLDR CUP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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8D725F46BA | Souriau, 8D 46C MIXED SKT J/N, -, OptiMOS? | Visualizza |
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CTVP00RF-19-88PA-P35AD | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT MALE 88POS GOLD SLDR, -, OptiMOS? | Visualizza |
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CA3106E32-9PB15 | ITT Cannon, LLC, CONN PLUG 14POS INLINE W/PINS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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VI-J33-EX-F4 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W, Half Brick, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 D# V72:2272_06377001 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 D# IPB017N08N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB017N08N5ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 D# SP001132472 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001132472) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 D# IPB017N08N5ATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
1962 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 D# 2725834RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1160 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 D# 726-IPB017N08N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 RoHS: Compliant
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1824 |
IPB017N08N5 D# 726-IPB017N08N5 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 RoHS: Compliant
|
1801 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 D# 13AC9021 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:80V, On Resistance Rds(on):0.0015ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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918 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
111 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB017N08N5ATMA1 D# 2725834 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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918 |
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