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| Numero di parte | IPB011N04NGATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
| ECAD |
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| A magazzino | 16.788 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | dic 27 - gen 1 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
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C0805X822F8JACAUTO | KEMET, CAP CER 0805 8.2NF 10V U2J 1%, -, OptiMOS? | Visualizza |
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1206Y1000334KXR | Knowles Syfer, CAP CER 1206, 1206 (3216 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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SN7407DRE4 | Texas Instruments, IC BUFF/DVR HEX NON-INV 14SOIC, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
 
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P6SMB180CA | Bourns Inc., TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA, DO-214AA, SMB, OptiMOS? | Visualizza |
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RNC60H4642FRB14 | Vishay Dale, RES 46.4K OHM 1/4W 1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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CW01050K00KE123 | Vishay Dale, RES 50K OHM 13W 10% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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AC0603FR-0733KL | Yageo, RES SMD 33K OHM 1% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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1834070000 | Weidmuller, TERMINAL CROSS CONN WQV 50N/3, -, OptiMOS? | Visualizza |
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800-80-058-65-001101 | Preci-Dip, CONN HDR 58POS 0.100 T/H, -, OptiMOS? | Visualizza |
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DF3DZ-2P-2V(21) | Hirose Electric Co Ltd, CONN HEADER 2POS 2MM VERT TIN, -, OptiMOS? | Visualizza |
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AIB6-20-15PS-027 | Amphenol Industrial Operations, GT 7C 7#12 PIN PLUG, -, OptiMOS? | Visualizza |
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MS27656T21B35PALC | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSNG MALE 79POS PNL MT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 D# V36:1790_06376910 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGXT D# IPB011N04NGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB011N04NGATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
IPB011N04NGATMA1 D# 60R2640 |
Infineon Technologies AG |
- Bulk (Alt: 60R2640) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 D# C1S322000087406 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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64 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 D# IPB011N04NGATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
23 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 D# 1775516 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 180A, 40V, PG-TO263-7 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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383 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 40 V 1.1 mOhm 188 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-7 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
4640 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1. D# 27AC6717 |
Infineon Technologies AG |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:40V, Continuous Drain Current Id:180A, On Resistance Rds(on):900µohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Product Range:- RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 D# 8986918P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Infineon IPB011N04NGATMA1, RL Min Qty: 4
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
803 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 D# 43698065 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB011N04NGATMA1 D# 1775516 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 180A, 40V, PG-TO263-7 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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